193nm深紫外光學(xué)系統(tǒng)中，材料性能直接決定系統(tǒng)精度與壽命。

Hellma作為光學(xué)材料供應(yīng)商，其CaF?（氟化鈣）晶體憑借超高透射、極低雙折射、高激光耐久等核心優(yōu)勢(shì)，成為193nm光刻、準(zhǔn)分子激光等系統(tǒng)的優(yōu)選材料，適配納米級(jí)精密成像與高功率激光傳輸需求。

一、核心光學(xué)性能：賦能193nm深紫外精密應(yīng)用

Hellma CaF?晶體針對(duì)193nm波段專項(xiàng)優(yōu)化，光學(xué)參數(shù)達(dá)行業(yè)水平：193nm波段透射率>99.3%/cm，10mm厚UV級(jí)產(chǎn)品達(dá)>99.8%，減少能量損耗；

應(yīng)力雙折射<5nm/cm（RMS<3nm/cm），波前畸變極小，支撐7nm及以上光刻制程；nd=1.43384、vd=95.23，色差校正能力強(qiáng)；

折射率均勻性<15ppm，適配光刻機(jī)大型物鏡；激光損傷閾值7 J/cm2，可承受10?次以上準(zhǔn)分子激光脈沖，延長(zhǎng)使用壽命、降低維護(hù)成本。

二、激光耐久分級(jí)：適配不同光刻/激光工況

為適配不同工況，該晶體按能量、脈沖、頻率分為四級(jí)：

LD-A（超高級(jí)）適配7nm及以下光刻；

LD-B（高級(jí)）適用于中高能量準(zhǔn)分子激光與光刻照明；

LD-C適配常規(guī)能量激光傳輸與檢測(cè)；

LD-D（標(biāo)準(zhǔn)）適用于低能量深紫外實(shí)驗(yàn)與簡(jiǎn)易檢測(cè)。

典型規(guī)格示例：CaF?圓片（193nm、LD-A、單晶、取向<111>，φ28.0mm×5.0mm，公差±0.1mm，表面粗糙度Rq 2µm，倒角0.5mm），可按需定制。

三、物理與環(huán)境特性：適應(yīng)嚴(yán)苛場(chǎng)景

Hellma CaF?晶體具備出色的環(huán)境適應(yīng)性：大氣下耐溫600℃，熱導(dǎo)率9.71 W/(m?K)，抗熱變形，適配溫度波動(dòng)環(huán)境；

抗高能輻射、不易潮解氧化，適配光刻車間、太空等嚴(yán)苛場(chǎng)景；單晶φ250mm、多晶φ440mm，滿足大型光學(xué)組件需求。

四、典型應(yīng)用：覆蓋深紫外領(lǐng)域

其廣泛應(yīng)用于193nm相關(guān)光學(xué)系統(tǒng)：193nm ArF光刻系統(tǒng)（7nm及以上制程物鏡、照明系統(tǒng)）、深紫外準(zhǔn)分子激光系統(tǒng)（傳輸、光束整形、檢測(cè)組件），以及紫外光譜分析、空間光學(xué)、高功率激光實(shí)驗(yàn)等領(lǐng)域。

綜上，Hellma CaF?晶體憑借核心光學(xué)優(yōu)勢(shì)、靈活分級(jí)及優(yōu)異環(huán)境適應(yīng)性，成為193nm深紫外系統(tǒng)優(yōu)選材料，為半導(dǎo)體光刻、準(zhǔn)分子激光等行業(yè)技術(shù)升級(jí)提供有力支撐。